에지 상태와 양자 제한으로 인해 그래 핀 양자점의 모양과 크기는 전기적, 광학적, 자기 적 및 화학적 특성을 결정합니다. 특정 모서리 모양과 균일 한 크기를 가진 많은 수의 그래 핀 양자점을 얻는 것은 어려운 문제입니다. 현재 하향식 그래 핀 양자점 합성 방법은 리소그래피, 초음파 화학 방법, 열수 방법, 풀러렌 케이지 개방, 탄소 나노 튜브 방출의 화학적 분해 또는 전자 빔 에칭에 의해 얻어집니다. 그러나 이러한 방법은 모두 생산성이 낮고 제어 할 수없는 모양과 크기, 부드럽 지 않은 가장자리, 값 비싼 제조를 가지고 있으며 작은 그래 핀 양자점을 제조하는 데 몇 주가 걸립니다. 안정된 크기와 모양의 그래 핀 양자점을 제조하기위한 수많은 공정 기술을 해결했으며, 다양한 사양의 그래 핀 양자점을 대량으로 제공 할 수 있습니다.

sat nano그래 핀 양자점을 공급할 수 있습니다. 여기에 사양이 있습니다.

농도 범위 : 20mg / ml, 다른 1mg / ml
직경 : 평균 직경 : 15nm
두께 : 0.5-2nm
순도 : ~ 80 % (양자점 용액에는 소량의 naoh가 포함되어 있으며 pH를 조정하고 추가)
pl 양자 수율 : 9 % (상대 강도)
원소 분석 : c : 46.22 % o : 49.91 % h : 3.87 %
일반적으로 블루 레이

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