탄화 붕소 화학식 b4C. Glossy black crystals with a relative density of 2.52, a melting point of 2350 ° C, and a boiling point above 3500 ° C. Chemically stable, insoluble in water and various acids, soluble in molten alkali. Harder than diamond but higher than silicon carbide, Mohs hardness is 9.3. High thermal neutron capture ability, wear resistance, and semiconductor conductivity. The general requirements for product quality are that the abrasive grains contain B4C not less than 94%, and the abrasive powders not less than 90%. . Boron carbide is widely used in the grinding and polishing of gemstones because of its excellent properties. Sapphire is the most ideal substrate material for practical applications such as semiconductor GaN / Al2O3 light-emitting diodes (LEDs), large-scale integrated circuits SOI and SOS, and superconducting nanostructured thin films. Sapphire wafers as LED substrates require a high degree of smoothness on the surface, which must be ultra-smooth without damage. The quality of the device mainly depends on the surface processing technology of the substrate. Grinding is a key part of the sapphire industry. Abrasives have a greater impact on sapphire grinding and chemical mechanical polishing. At present, boron carbide has gradually replaced diamond abrasive as a sapphire abrasive, greatly reducing the cost of the grinding process. According to statistics, China's sapphire industry produced more than 3,000 tons of grinding waste in 2012 alone. At present, there is little research on boron carbide recycling in China. As the amount of sapphire increases, the demand for boron carbide for grinding will continue to increase, and the resulting grinding waste will increase accordingly. Therefore, the recovery of boron carbide from grinding waste is a very interesting research direction.

의 속성은 무엇입니까 | 붕소 카바이드 분말?

(1) 탄화 붕소의 가장 중요한 특성은 탁월한 경도 (모스 경도는 9.3)로 다이아몬드 및 입방정 질화 붕소에 이어 두 번째로 이상적인 고온 내마모성 소재입니다.
(2) 탄화 붕소의 밀도가 매우 작고 세라믹 재료 중 가장 가볍고 항공 우주 분야에서 사용할 수 있습니다.
(3) 탄화 붕소는 순수한 원소 b 및 cd에 비해 강한 중성자 흡수 능력을 가지고 있으며, 비용이 저렴하고 내식성이 우수하며 열 안정성이 우수하며 원자력 산업에서 널리 사용되며 b 원소를 추가하여 더욱 개선됩니다.
(4) 탄화 붕소의 화학적 성질이 우수하여 상온에서 산, 알칼리 및 대부분의 무기 화합물과 반응하지 않으며 불산, 황산 및 불산, 질산의 혼합물에서만 느린 부식을 보입니다. 화합물
(5) 탄화 붕소는 또한 높은 융점, 높은 탄성 계수, 낮은 팽창 계수 및 우수한 산소 흡수 능력의 장점을 가지고 있습니다.
(6) 탄화 붕소는 또한 p 형 반도체 재료로 매우 높은 온도에서도 반도체 특성을 유지할 수 있습니다.