Chinapeking University는 중국 과학 아카데미와 협력하여 초 고밀도 반도체 어레이 수준을 얻기 위해 에탄올 / 메탄 화학 기상 증착 방법을 사용합니다.단일 벽 탄소 나노 튜브.

오늘날 전자 장치가 점점 작아짐에 따라 실리콘 트랜지스터는 개발의 병목에 도달했습니다. 단일 벽 탄소 나노 튜브의 수평 배열은 우수한 성능으로 인해 미래 트랜지스터의 가장 강력한 후속 제품으로 간주됩니다. 현재, 단일 벽 탄소 나노 튜브의 고순도, 고밀도 수평 배열을 얻는 것은 연구자들에게 큰 도전입니다. 화학 기상 증착에 의해 기판에 단일 벽 탄소 나노 튜브의 수평 배열을 직접 형성하는 것은 고성능 전자 소자를 실현하는 효과적인 방법이지만, 기존의 화학 기상 증착은 생성 된 메탄 플라즈마와 초고온 수소 원자로 인해 극도로 활성화됩니다. . 제어가 어렵고 일반적으로 반도체 형 탄소 나노 튜브의 수율이 낮습니다.

최근 베이징 대학과 중국 과학 아카데미의 연구원들은 단일 벽 탄소 나노 튜브 어레이 레벨을 준비하는 과학적 방법의 에탄올 / 메탄 화학 기상 증착을보고했습니다.swnt91 %의 순도 및 100 튜브 / μm 이상의 밀도를 갖는 반도체 단일 벽 탄소 나노 튜브 방법으로 제조 된 수평 어레이. 이 방법은 특정 온도에서 에탄올의 열분해는 완전히 트로이 목마 촉매가 탄소 원자를 제공하여 고밀도 단일 벽 탄소 나노 튜브를 생성하는 것입니다. 그리고 메탄의 불완전한 열분해는 단일 벽 탄소 나노 튜브의 형성을 방지하기 위해 자유 비금속을 제공하는 데 사용됩니다. 에탄올과 메탄은 적당한 활성, 중요한 높은 제어 성, 고순도 및 고밀도 반도체 단일 벽 탄소 나노 튜브 성장의 시너지 효과를 제공합니다. 이번 연구는 고밀도 단일 벽 탄소 나노 튜브 합성 수평 배열의 큰 영역으로 탄소 나노 튜브 전자 공학의 잠재적 인 응용을 보여 주었다.