그래핀 양자점(GQD)은 그래핀 층 크기가 100nm 미만이고 층 수가 10개 미만인 새로운 유형의 탄소 기반 형광 물질을 말합니다. 일반적으로 그래핀 양자점에는 많은 종류의 탄소 형광 물질과 그래핀 양자점, 산화 그래핀 양자점, 부분적으로 환원된 산화 그래핀 양자점을 포함하여 유사한 구조와 특성을 가진 파생물입니다. 그래핀 양자점의 특성 그래핀 양자점의 UV 흡수 성능 그래핀 양자점의 C=C 이중 결합 구조로 인해 π - π 전이가 발생하여 짧은 파장 범위에서 많은 수의 광자를 흡수할 수 있습니다. 일반적으로 UV 흡수 스펙트럼의 260~320nm 범위에서 강한 흡수 피크가 나타나고 가시광선 범위까지 확장되는 테일링이 동반됩니다. 한편, n - π 전이 의 영향으로 인해 그래핀 양자점은 270~390n...
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양자점 (QD)은 엑시톤의 보어 반경보다 작은 크기를 갖고 양자 구속 효과를 나타내는 반도체 나노입자를 말한다. 양자 구속 효과로 인해 양자점의 형광 방출은 직경 및 화학적 조성과 관련이 있습니다. 반도체 표면과 혼합함으로써 광학적, 광화학적 특성을 향상시킬 수 있습니다. 전통적인 양자점은 대부분 중금속 원소로 구성되어 있습니다. 이들의 뛰어난 성능은 생물학적 이미징, 전기화학, 에너지 변환 등의 분야에서 널리 활용되고 있지만, 중금속 원소는 환경 오염을 유발하고 유기체의 건강에 영향을 미칠 수 있습니다. 탄소 양자점(CQD)은 일반적으로 sp2/sp3 탄소 코어와 외부 산소/질소 작용기로 구성된 10nm 미만 크기의 단분산 구형 나노 탄소 소재를 의미합니다. 기존 반도체 양자점과 유사한 우수한 성능을 갖고...
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탄소양자점 의 합성 탄소양자점 합성은 크게 하향식(Top-down) 방식과 상향식(Bottom-up) 방식으로 나눌 수 있다. 전처리, 준비 및 후속 처리를 통해 탄소 양자점은 크기 조절, 표면 부동태화, 헤테로원자 도핑 및 나노복합체를 요구 사항에 맞게 제어할 수 있습니다. 하향식 접근 방식 하향식 방법: 레이저 제거 방법, 전기화학 방법, 아크 방전 방법. 아크 방전 Xu 박사는 아크 방전법을 이용하여 탄소재를 탄소원으로 사용하여 청색 및 황색 형광성 탄소 나노입자를 합성했습니다. Bottiniet al. 단일벽 탄소나노튜브를 탄소원으로 사용하여 황록색 형광 탄소 양자점을 합성했습니다. Sunet al. 광전변환에 활용될 수 있는 10nm 이하의 나노복합체 입자크기를 갖는 탄소양자점을 제조하였다. 아크 ...
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초단 탄소나노튜브를 이용하여 독특한 입계분산을 갖는 탄소나노튜브(CNT) 강화 알루미늄 복합재를 얻었으며, 나노크기의 탄소나노튜브가 초미립자 알루미늄 입자 내에 균일하게 분포되어 있었습니다. 본 입계 탄소나노튜브/알루미늄 복합재료는 일반적인 입계 탄소나노튜브 분산을 갖는 CNT/Al 복합재료에 비해 전위 고정 및 유지력이 강해 강도와 연성이 모두 향상됩니다. 현재의 입자내 분산 전략은 강력하고 견고한 나노카본 강화 금속 매트릭스 복합재 제조에 대한 아이디어를 제공할 것입니다. 그림 1. 가변속 볼밀링, 소결, 열간압출 공정을 통한 길고 짧은 CNT/Al 복합재료 제조 모식도 그림 2. 긴(a) 및 짧은(b) CNT/Al 복합재료의 TEM 이미지. 압출 복합 재료의 입계 및 입계 탄소 나노튜브의 백분율 및 길...
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